DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.5 В
Характеристики
Производитель
Samsung
Тип памяти
DDR3
Объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в наборе
1
Частота памяти
1600 МГц
Тайминги
CL11
Напряжение питания
1.5 В
Охлаждение
нет
Проверка и коррекция ошибок (ECC)
нет
Буферизация
unbuffered
(Сборка) Потребляемая мощность
6 Вт
Примечание
Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Отзывы